Технологія GaN

                                          Що таке "GaN" і як це працює?

GaN (нітрид галію) — інноваційний напівпровідниковий матеріал, який усе частіше використовується в джерелах живлення та зарядних пристроях. Кристалічний матеріал являє собою високоефективну альтернативу звичайному кремнію. Він забезпечує чудову провідність і стійкість до високих температур, тому зарядний пристрій не тільки компактний, легко та зручно в зберіганні, але також має переваги в перетворенні потужності та вихідної потужності, порівнюючи з зарядними пристроями без GaN.

                                             Чому варто вибрати технологію GaN?

Надзвичайно компактний

Завдяки ефективному передаванню напруги та вищим частотам зарядних пристроїв, що використовують технологію GaN, потрібно менше місця, а це означає, що корпус меншого розміру достаточний для оброблення вищої потужності. Менше виділення тепла також збільшує термін експлуатації.

^{*Порівнюючи зі стандартними зарядними пристроями для ноутбуків, з огляду на загальний обсяг (ШxВxГ) зарядного пристрою потужністю 60 Вт, порівнюючи з високошвидкісним зарядним пристроєм VARTA}

                                                         Неймовірно потужний

Вища напруга й електричні струми можуть проходити через компоненти, виготовлені з GaN, порівнюючи з кремнієм, що забезпечує вищу вихідну потужність за менших габаритів.